Name: Vishay Siliconix SI1305EDL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1305EDL-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI1305EDL-T1-GE3

Artikelnummer:

SI1305EDL-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3

Datenblätte:

1.SI1305EDL-T1-GE.pdf ···: 2D -Zeichnungen
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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI1305EDL-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI1305EDL-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SC-70-3
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max)	290mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	SC-70, SOT-323
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4 nC @ 4.5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	860mA (Ta)
Grundproduktnummer	SI1305
SI1305EDL-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI1305EDL-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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